使用高单元密度的DMOS来生产的 沟槽技术

AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET
一般说明
AP15N10是N通道逻辑增强型电源
场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的
沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于
较小化导通电阻。这些设备特别适合
适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑
计算机电源管理和其他电池供电电路
在高侧开关，低线内功率损耗需要在一个
非常小的外形表面贴装封装
特征
● RDS（开）≦ 米Ω@VGS=10伏
● **高密度单元设计，用于较低RDS（ON）
● 异常的导通电阻和较大直流电流
能力
应用
● DC/DC转换器
● 负荷开关
● LCD/LED显示逆变器
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